„Elektronika alapjai” változatai közötti eltérés
→Gyakorlatok: Óra anyagának hozzádaása |
→Előadások: Óra anyagának hozzáadása |
||
| 39. sor: | 39. sor: | ||
* [[Media:elektro_EA03_20240226_CMOS-alapok.pdf | 3. hét]]: (C)MOS-tranzisztor: működése, kapcsolási rajz; digitális logika: Boole-algebra, swing, rail, transzferkarakterisztika, komparálási feszültség, zaj- / zavarvédettség, jelregeneráció, robosztusság; CMOS-áramkörök, -inverter, -kapu (PUN, PDN): NOR, NAND, komplex; transzferkapu, clocked CMOS; -tárolók: latch, flip-flop | * [[Media:elektro_EA03_20240226_CMOS-alapok.pdf | 3. hét]]: (C)MOS-tranzisztor: működése, kapcsolási rajz; digitális logika: Boole-algebra, swing, rail, transzferkarakterisztika, komparálási feszültség, zaj- / zavarvédettség, jelregeneráció, robosztusság; CMOS-áramkörök, -inverter, -kapu (PUN, PDN): NOR, NAND, komplex; transzferkapu, clocked CMOS; -tárolók: latch, flip-flop | ||
* 4. hét: az előző hét folytatása: tárolás, D-latch és -flipflop; [[Media:elektro_EA04_20240304_CMOS-digit-tervezes.pdf | CMOS-áramkörök késleltetése és fogyasztása]]: CMOS-inverter (késleltetés, terhelés), teljesítmény, energia, statikus / dinamikus fogyasztás (töltéspumpálás), PDP, dynamic voltage frequency scaling, energiatakarékossági módok; digitálisrendszer-tervezés: szinkron szekvenciális logika, design flow, VHDL, SystemVerilog, logikai verifikáció és szintézis, ((lépések: floorplan, power plan, place, route, pad-ring)), post-layout szimuláció | * 4. hét: az előző hét folytatása: tárolás, D-latch és -flipflop; [[Media:elektro_EA04_20240304_CMOS-digit-tervezes.pdf | CMOS-áramkörök késleltetése és fogyasztása]]: CMOS-inverter (késleltetés, terhelés), teljesítmény, energia, statikus / dinamikus fogyasztás (töltéspumpálás), PDP, dynamic voltage frequency scaling, energiatakarékossági módok; digitálisrendszer-tervezés: szinkron szekvenciális logika, design flow, VHDL, SystemVerilog, logikai verifikáció és szintézis, ((lépések: floorplan, power plan, place, route, pad-ring)), post-layout szimuláció | ||
* [[Media:elektro_EA05_20240311_memoriak.pdf | 5. hét]]: memóriák: alapfogalmak, felépítése (word line, bit line), bank; SRAM: felépítése; (embedded) DRAM: cella, írás, olvasás, frissítés (burst refresh, distributed (hidden) refresh); CAM: search data register, elemi cella; MROM: pszeudo-NMOS-kapu, NOR- / NAND-kapu, OTP ROM; (((anti)fuse, PLICE)); küszöbfeszültség, (E)EPROM, flash EEPROM (SLC / MLC, NOR / NAND); ((SONOS, VNAND, NVRAM, FERAM, MRAM)) | |||
* [[Media:EA06-analog-alapok.pdf | 6. előadás - Analóg jelformálás és erősítés]] | * [[Media:EA06-analog-alapok.pdf | 6. előadás - Analóg jelformálás és erősítés]] | ||
* [[Media:EA07-opamp-osc.pdf | 7. előadás - Jelfeldolgozás műveleti erősítővel]] | * [[Media:EA07-opamp-osc.pdf | 7. előadás - Jelfeldolgozás műveleti erősítővel]] | ||