Nanoelektronika

Nanoelektronika

Tárgykód	VIEEM252
Általános infók
Szak	villany MSc
Kredit	4
Ajánlott félév	2
Tanszék	EET
Követelmények
NagyZH	1 db
Vizsga	írásbeli
Elérhetőségek
Tantárgyi adatlap

Segédanyagok

• Zólomy jegyzet néhány óráról 2010, 2011
• Mizsei jegyzet
• Andy Grove cikk
• Kvantumtranzisztor cikk
• Szén nanocsövekről cikk
• Bipoláris és MOS egyenletek levezetése
• Elektronvezetés
• Mikroszkópia
• Nemlinearitás
• Schrödinger egyenlet
• Karakterisztikus hosszak
• tau Ptau diagram

Zárthelyi

2012. zh

1. A Schrödinger-egyenlet levezetése
2. Rezonáns alagútdióda
3. Tápfeszültség csökkentése a nanoelektronikai eszközökben
4. Karakterisztikus hosszak
5. Karakterisztikus idők

2012. pótzh

1. A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
2. Kettős potenciálgát energiaviszonyai
3. Elektrontranszport vezetőkben mikro-, és nanokörnyezetben
4. Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
5. CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS

Vizsga

2011.12.20. vizsga

• nanocsövek (zolomy)
• véges és végtelen potenciálgát energiaviszonyai (zolomy)
• karakterisztikus hosszak (mizsei)
• tau-Ptau (mizsei)
• nemlinearítás - görbület (mizsei)

2012.01.05. vizsga

• Bipoláris és FET tranzisztotok muködési elvének összehasonlítása, a karakterisztikus távolságok szerepe a muködésben (mizsei)
• Nemlinearitás, mint a digitális technika alapja (mizsei)
• Vezetési jelenségek vezetokben és szigetelokben mikro- és makroméretben (mizsei)
• Schrödinger "levezetése", eredmény értelmezése (zolomy)
• Bipoláris rezonáns alagút tranzisztor (zolomy)

2012.01.19. vizsga

• nanocsövek (zolomy)
• Rezonáns tunnek dióda áram-feszültség karakterisztikája és alkalmazási lehetőségei (zolomy)
• Poisson-egyenlet megoldása Si felületközeli tartományában kiürítéses közelítéssel és Boltzmann közelítéssel. A felületegységre eső töltés (felületi térerő) és a felületi potenciálgát közötti kapcsolat (mizsei)
• "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
• "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)

2012.12.18. vizsga

• bipoláris alagút tranzisztor
• nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
• vezetés fémben, félvezetőben nano tartományban
• vezetés szigetelőkben nano tartományban
• új technológiák használata a modern CMOS áramkörökben (felsorolás)

2013.01.03. vizsga

• Ballisztikus transzport
• Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése
• Szén nanocsövek
• Szén nanocsövek alkalmazása

Mikro- és nanoelektronika - Villamosmérnök MSc
1. félév (tavasz)	Fizika 3  •  Hírközléselmélet  •  IC és MEMS tervezés  •  Méréselmélet  •  Minőségbiztosítás a mikroelektronikában  •  Rendszerszintű tervezés  •  Szoftvertervezés  •  Váltakozó áramú rendszerek  •  VLSI áramkörök
2. félév (ősz)	Analízis  •  Elektromágneses terek  •  Fotonikai eszközök  •  Haladó lineáris algebra  •  Mikro és nanotechnika  •  Nanoelektronika  •  Nanotudomány  •  Relativisztikus elektrodinamika  •  Rendszertervezés laboratórium  •  Villamos szigetelések és kisülések
3. félév (tavasz)	IC és MEMS tervezés laboratórium
Egyéb	Mérnöki menedzsment  •  Szakmai szabadon választható tárgyak Befektetések  •  Érvelés, tárgyalás, meggyőzés  •  Információs társadalom joga  •  Minőségmenedzsment  •  Projektmenedzsment  •  Vállalati jog  •  Vezetői számvitel