„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés

← Régebbi szerkesztés Újabb szerkesztés →

VizuálisWikiszöveges

@@ 138. sor: / 138. sor: @@
 #Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
 #A tárolás egy memória mátrixban történik.
+== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1}}
+#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
+#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
+#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
+#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
+== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3}}
+#Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
+#Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
+#Az információ gyártáskor kerül bele.
+#Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés
+== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
+{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=1}}
+#fF
+#uF
+#pF
+#nF
+== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
+{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=2}}
+#\(10^{-6}F\)
+#\(10^{-15}F\)
+#\(1000F\)
+#\(10^{-9}F\)
+== Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2}}
+#Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
+#A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
+#MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
+#Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.
+== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}}
+#A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
+#Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
+#A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
+#Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.