ITeszk4 Kikérdező

Kikérdező

Kvízek használata, fejlesztése.
Statisztika
Átlagteljesítmény	-
Eddigi kérdések	0
Kapott pontok	0
Alapbeállított pontozás	(-)
-
Beállítások
Minden kérdés látszik	-
Véletlenszerű sorrend	-
-

Mi igaz OTP ROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 2,4. Pontozás: -.

1. Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
2. Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
3. A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
4. A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.

Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?

Típus: több. Válasz: 1,3,4. Pontozás: -.

1. Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
2. A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
3. A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
4. Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.

Mi igaz dinamikus RAM memóriára?

Típus: több. Válasz: 2,3,4. Pontozás: -.

1. DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
2. Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
3. Rendszeresen frissíteni kell.
4. A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.

Mi igaz flash EEPROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,3,5,6. Pontozás: -.

1. A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
2. A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
3. NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
4. Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
5. Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
6. A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
7. MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
8. Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.

Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,4,5,7. Pontozás: -.

1. Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
2. Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
3. Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
4. Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
5. Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
6. Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
7. Az információ gyártáskor kerül bele.
8. Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés

Mi igaz statikus RAM memóriára?

Típus: több. Válasz: 2,3,8. Pontozás: -.

1. Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
2. Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
3. A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
4. Rendszeresen frissíteni kell.
5. A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
6. Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
7. Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
8. Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.

Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,2,3,8. Pontozás: -.

1. A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
2. A tárolt adat címét keressük.
3. A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
4. Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
5. A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
6. Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
7. A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
8. Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.

Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?

Típus: több. Válasz: 2,4,5,6,8. Pontozás: -.

1. Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
2. Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
3. A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
4. A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
5. A tárolás egy memória mátrixban történik.
6. Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
7. Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
8. A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.

Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?

Típus: több. Válasz: 4,5. Pontozás: -.

1. NF
2. UF
3. PF
4. FF
5. 10⁻¹⁵ F
6. 1000F
7. 10⁻⁹ F
8. 10⁻⁶ F