ITeszk4 Kikérdező
A VIK Wikiből
Mi igaz OTP ROM memóriákra?
- Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
- Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
- A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
- A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?
- Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
- A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
- A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
- Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
Mi igaz dinamikus RAM memóriára?
- DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
- Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
- Rendszeresen frissíteni kell.
- A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.
Mi igaz flash EEPROM memóriákra?
- A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
- A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
- NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
- Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
- Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
- A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
- MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
- Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.
Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?
- Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
- Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
- Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
- Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
- Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
- Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
- Az információ gyártáskor kerül bele.
- Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés
Mi igaz statikus RAM memóriára?
- Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
- Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
- A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
- Rendszeresen frissíteni kell.
- A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
- Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
- Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
- Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?
- A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
- A tárolt adat címét keressük.
- A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
- Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
- A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
- Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
- A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
- Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.
Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
- Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
- A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
- A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
- A tárolás egy memória mátrixban történik.
- Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
- Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
- A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
- NF
- UF
- PF
- FF
- 10−15 F
- 1000F
- 10−9 F
- 10−6 F
