„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés
Ugrás a navigációhoz
Ugrás a kereséshez
(Új oldal, tartalma: „{{Kvízoldal |cím=Kikérdező }} == Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? == {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}} #Az elemi cella mind…”) |
|||
50. sor: | 50. sor: | ||
#A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg. | #A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg. | ||
#Rendszeresen frissíteni kell. | #Rendszeresen frissíteni kell. | ||
+ | |||
+ | == Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? == | ||
+ | |||
+ | {{kvízkérdés|típus=egy|válasz=4}} | ||
+ | #nF | ||
+ | #uF | ||
+ | #pF | ||
+ | #fF | ||
+ | |||
+ | == Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? == | ||
+ | |||
+ | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,4}} | ||
+ | #A tárolás egy memória mátrixban történik. | ||
+ | #Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért. | ||
+ | #Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk. | ||
+ | #A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni. | ||
+ | |||
+ | == Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? == | ||
+ | |||
+ | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4}} | ||
+ | #Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg. | ||
+ | #A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve. | ||
+ | #A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség. | ||
+ | #Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között. | ||
+ | |||
+ | == Mi igaz statikus RAM memóriára? == | ||
+ | |||
+ | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}} | ||
+ | #A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát. | ||
+ | #Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen. | ||
+ | #Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik. | ||
+ | #Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz. | ||
+ | |||
+ | == Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? == | ||
+ | |||
+ | {{kvízkérdés|típus=egy|válasz=1}} | ||
+ | #10−15F10−15F | ||
+ | |||
+ | #1000F1000F | ||
+ | |||
+ | #10−9F10−9F | ||
+ | |||
+ | #10−6F10−6F |
A lap 2022. december 3., 21:52-kori változata
Tartalomjegyzék
- 1 Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- 2 Mi igaz flash EEPROM memóriákra?
- 3 Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?
- 4 Mi igaz OTP ROM memóriákra?
- 5 Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?
- 6 Mi igaz statikus RAM memóriára?
- 7 Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
- 8 Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- 9 Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?
- 10 Mi igaz statikus RAM memóriára?
- 11 Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
- Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
- A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
- A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
Mi igaz flash EEPROM memóriákra?
- A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
- A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
- NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
- Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?
- Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
- Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
- Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
- Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
Mi igaz OTP ROM memóriákra?
- Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
- Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
- A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
- A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?
- A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
- A tárolt adat címét keressük.
- A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
- Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
Mi igaz statikus RAM memóriára?
- Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
- Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
- A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
- Rendszeresen frissíteni kell.
Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
- nF
- uF
- pF
- fF
Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?
- A tárolás egy memória mátrixban történik.
- Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
- Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
- A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?
- Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
- A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
- A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
- Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
Mi igaz statikus RAM memóriára?
- A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
- Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
- Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
- Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?
- 10−15F10−15F
- 1000F1000F
- 10−9F10−9F
- 10−6F10−6F