„Nanoelektronika” változatai közötti eltérés
A VIK Wikiből
Nincs szerkesztési összefoglaló |
aNincs szerkesztési összefoglaló |
||
| 34. sor: | 34. sor: | ||
===Zárthelyi=== | ===Zárthelyi=== | ||
'''2012. zh''' | '''2012. zh''' | ||
# A Schrödinger-egyenlet levezetése | # A Schrödinger-egyenlet levezetése | ||
| 50. sor: | 48. sor: | ||
# CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS | # CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS | ||
=== Vizsga === | ===Vizsga=== | ||
'''2011.12.20. vizsga''' | '''2011.12.20. vizsga''' | ||
* nanocsövek (zolomy) | * nanocsövek (zolomy) | ||
A lap 2013. szeptember 27., 23:51-kori változata
Segédanyagok
- Zólomy jegyzet néhány óráról 2010, 2011
- Mizsei jegyzet
- Andy Grove cikk
- Kvantumtranzisztor cikk
- Szén nanocsövekről cikk
- Bipoláris és MOS egyenletek levezetése
- Elektronvezetés
- Mikroszkópia
- Nemlinearitás
- Schrödinger egyenlet
- Karakterisztikus hosszak
- tau Ptau diagram
Zárthelyi
2012. zh
- A Schrödinger-egyenlet levezetése
- Rezonáns alagútdióda
- Tápfeszültség csökkentése a nanoelektronikai eszközökben
- Karakterisztikus hosszak
- Karakterisztikus idők
2012. pótzh
- A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
- Kettős potenciálgát energiaviszonyai
- Elektrontranszport vezetőkben mikro-, és nanokörnyezetben
- Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
- CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS
Vizsga
2011.12.20. vizsga
- nanocsövek (zolomy)
- véges és végtelen potenciálgát energiaviszonyai (zolomy)
- karakterisztikus hosszak (mizsei)
- tau-Ptau (mizsei)
- nemlinearítás - görbület (mizsei)
2012.01.05. vizsga
- Bipoláris és FET tranzisztotok muködési elvének összehasonlítása, a karakterisztikus távolságok szerepe a muködésben (mizsei)
- Nemlinearitás, mint a digitális technika alapja (mizsei)
- Vezetési jelenségek vezetokben és szigetelokben mikro- és makroméretben (mizsei)
- Schrödinger "levezetése", eredmény értelmezése (zolomy)
- Bipoláris rezonáns alagút tranzisztor (zolomy)
2012.01.19. vizsga
- nanocsövek (zolomy)
- Rezonáns tunnek dióda áram-feszültség karakterisztikája és alkalmazási lehetőségei (zolomy)
- Poisson-egyenlet megoldása Si felületközeli tartományában kiürítéses közelítéssel és Boltzmann közelítéssel. A felületegységre eső töltés (felületi térerő) és a felületi potenciálgát közötti kapcsolat (mizsei)
- "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
- "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)
2012.12.18. vizsga
- bipoláris alagút tranzisztor
- nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
- vezetés fémben, félvezetőben nano tartományban
- vezetés szigetelőkben nano tartományban
- új technológiák használata a modern CMOS áramkörökben (felsorolás)
2013.01.03. vizsga
- Ballisztikus transzport
- Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése
- Szén nanocsövek
- Szén nanocsövek alkalmazása
