„Nanoelektronika” változatai közötti eltérés

A VIK Wikiből
Kalman (vitalap | szerkesztései)
Szikszayl (vitalap | szerkesztései)
Nincs szerkesztési összefoglaló
1. sor: 1. sor:
{{GlobalTemplate|Villanyszak|Nanoelektronika}}
{{Tantárgy
| név = Nanoelektronika
| tárgykód = VIEEM252
| szak = villany MSc
| kredit = 4
| félév = 2
| kereszt =
| tanszék = EET
| jelenlét =
| minmunka =
| labor =
| kiszh =
| nagyzh = 1 db
| hf =
| vizsga = írásbeli
| levlista =
| tad = https://www.vik.bme.hu/kepzes/targyak/VIEEM252/
| tárgyhonlap =
}}


-- [[BorbiroPeter|Pec]] - 2010.12.07.
===Segédanyagok===
* {{InLineFileLink|Villanyszak|Nanoelektronika|zolomy_scan.zip|zolomy_scan.zip}}: Két cikk és két órai anyag kézzel írva
*Zólomy jegyzet néhány óráról [[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2010_rtd.pdf | 2010]], [[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_zolomy.pdf | 2011]]
 
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2012_Mizseireszei.pdf | Mizsei jegyzet]]
* {{InLineFileLink|Villanyszak|Nanoelektronika|carbon_nanotubes.zip|carbon_nanotubes.zip}}: Szén nanocsöves cikk.
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2010_andy_grove.pdf | Andy Grove cikk]]
 
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2010_quantum_transistors.pdf | Kvantumtranzisztor cikk]]
 
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2010_szennanocsovek.pdf | Szén nanocsövekről cikk]]
=== Zárthelyi ===
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_bipolaris_mosfet.ppt | Bipoláris és MOS egyenletek levezetése]]
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_elektronvezetes.ppt | Elektronvezetés]]
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_mikroszkopia.ppt | Mikroszkópia]]
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_nemlinearitas.ppt | Nemlinearitás]]
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_schrodinger.pdf | Schrödinger egyenlet]]
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_karakterisztikushosszak.png | Karakterisztikus hosszak]]
*[[Media:Nanoelektronika_jegyzet_2011_tau_ptau_diagram.png | tau Ptau diagram]]


===Zárthelyi===
--[[Szerkesztő:Kalman|Kalman]] ([[Szerkesztővita:Kalman|vita]]) 2013. június 8., 14:09 (UTC)
--[[Szerkesztő:Kalman|Kalman]] ([[Szerkesztővita:Kalman|vita]]) 2013. június 8., 14:09 (UTC)


* 2012 zh
'''2012. zh'''
# A Schrödinger-egyenlet levezetése
# A Schrödinger-egyenlet levezetése
# Rezonáns alagútdióda
# Rezonáns alagútdióda
18. sor: 43. sor:
# Karakterisztikus idők
# Karakterisztikus idők


* 2012 pótzh
'''2012. pótzh'''
# A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
# A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
# Kettős potenciálgát energiaviszonyai
# Kettős potenciálgát energiaviszonyai
24. sor: 49. sor:
# Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
# Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
# CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS
# CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS
-- Main.zsovibandi - 2011.12.26.
'''feltöltöttem mindent, ami sztem szükséges, nekem 4-es lett a vizsgám'''


=== Vizsga ===
=== Vizsga ===
'''2011.12.20. vizsga'''
'''2011.12.20. vizsga'''
* nanocsövek (zolomy)
* nanocsövek (zolomy)
52. sor: 71. sor:
* "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
* "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
* "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)
* "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)
--[[Szerkesztő:Kalman|Kalman]] ([[Szerkesztővita:Kalman|vita]]) 2013. június 8., 14:08 (UTC)


'''2012.12.18. vizsga'''
'''2012.12.18. vizsga'''
* bipoláris alagút tranzisztor
* bipoláris alagút tranzisztor
* nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
* nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
64. sor: 80. sor:


'''2013.01.03. vizsga'''
'''2013.01.03. vizsga'''
* Ballisztikus transzport
* Ballisztikus transzport
* Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése
* Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése

A lap 2013. augusztus 10., 18:28-kori változata

Nanoelektronika
Tárgykód
VIEEM252
Általános infók
Szak
villany MSc
Kredit
4
Ajánlott félév
2
Tanszék
EET
Követelmények
NagyZH
1 db
Vizsga
írásbeli
Elérhetőségek

Segédanyagok

Zárthelyi

--Kalman (vita) 2013. június 8., 14:09 (UTC)

2012. zh

  1. A Schrödinger-egyenlet levezetése
  2. Rezonáns alagútdióda
  3. Tápfeszültség csökkentése a nanoelektronikai eszközökben
  4. Karakterisztikus hosszak
  5. Karakterisztikus idők

2012. pótzh

  1. A Schrödinger-egyenlet megoldása potenciálgáton belül és kívül
  2. Kettős potenciálgát energiaviszonyai
  3. Elektrontranszport vezetőkben mikro-, és nanokörnyezetben
  4. Elektrontranszport szigetelőkben mikro-, és nanokörnyezetben
  5. CMOS - Bipoláris összehasonlítás, miért nincs BiPMOS

Vizsga

2011.12.20. vizsga

  • nanocsövek (zolomy)
  • véges és végtelen potenciálgát energiaviszonyai (zolomy)
  • karakterisztikus hosszak (mizsei)
  • tau-Ptau (mizsei)
  • nemlinearítás - görbület (mizsei)

2012.01.05. vizsga

  • Bipoláris és FET tranzisztotok muködési elvének összehasonlítása, a karakterisztikus távolságok szerepe a muködésben (mizsei)
  • Nemlinearitás, mint a digitális technika alapja (mizsei)
  • Vezetési jelenségek vezetokben és szigetelokben mikro- és makroméretben (mizsei)
  • Schrödinger "levezetése", eredmény értelmezése (zolomy)
  • Bipoláris rezonáns alagút tranzisztor (zolomy)

2012.01.19. vizsga

  • nanocsövek (zolomy)
  • Rezonáns tunnek dióda áram-feszültség karakterisztikája és alkalmazási lehetőségei (zolomy)
  • Poisson-egyenlet megoldása Si felületközeli tartományában kiürítéses közelítéssel és Boltzmann közelítéssel. A felületegységre eső töltés (felületi térerő) és a felületi potenciálgát közötti kapcsolat (mizsei)
  • "Energetikai" korlátok az információfeldolgozásban (mizsei)
  • "Klasszikus" és erősen "méretcsökkentett" MOS tranzisztor keresztmetszeti rajza (mizsei)

2012.12.18. vizsga

  • bipoláris alagút tranzisztor
  • nanocsövek tulajdonságai, szerkezete, előállítása
  • vezetés fémben, félvezetőben nano tartományban
  • vezetés szigetelőkben nano tartományban
  • új technológiák használata a modern CMOS áramkörökben (felsorolás)

2013.01.03. vizsga

  • Ballisztikus transzport
  • Bipoláris és MOS tranzisztor transzfer karakterisztikájának levezetése
  • Szén nanocsövek
  • Szén nanocsövek alkalmazása