„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés

Újabb szerkesztés →

VizuálisWikiszöveges

@@ 50. sor: / 50. sor: @@
 #A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
 #Rendszeresen frissíteni kell.
+== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
+{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=4}}
+#nF
+#uF
+#pF
+#fF
+== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,4}}
+#A tárolás egy memória mátrixban történik.
+#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
+#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
+#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
+== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4}}
+#Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
+#A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
+#A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
+#Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
+== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}}
+#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
+#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
+#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
+#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
+== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
+{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=1}}
+#10−15F10−15F
+#1000F1000F
+#10−9F10−9F
+#10−6F10−6F