„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés
Nincs szerkesztési összefoglaló |
Nincs szerkesztési összefoglaló |
||
(4 közbenső módosítás, amit 2 másik szerkesztő végzett, nincs mutatva) | |||
1. sor: | 1. sor: | ||
{{ | {{kvízoldal|cím=Kikérdező|pontozás=-}} | ||
|cím=Kikérdező | |||
== Mi igaz OTP ROM memóriákra? == | == Mi igaz OTP ROM memóriákra? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4|pontozás=-}} | |||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}} | # Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat. | ||
#Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat. | # Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse. | ||
#Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse. | # A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet. | ||
#A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet. | # A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen. | ||
#A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen | |||
== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? == | == Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4|pontozás=-}} | |||
# Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg. | |||
# A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve. | |||
# A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség. | |||
# Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között. | |||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz= | == Mi igaz dinamikus RAM memóriára? == | ||
# | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,4|pontozás=-}} | ||
# | # DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott. | ||
#A | # Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz | ||
# Rendszeresen frissíteni kell. | |||
# A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni. | |||
== Mi igaz | == Mi igaz flash EEPROM memóriákra? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,5,6|pontozás=-}} | |||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz= | # A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb. | ||
#A | # A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség. | ||
# | # NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás | ||
# | # Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges. | ||
#Az | # Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja | ||
# A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti. | |||
# MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően. | |||
# Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn. | |||
# | |||
# | |||
# | |||
== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? == | == Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4,5,7|pontozás=-}} | |||
# Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb. | |||
# Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele. | |||
# Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória. | |||
# Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés | |||
# Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos. | |||
# Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás. | |||
# Az információ gyártáskor kerül bele. | |||
# Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés | |||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2, | == Mi igaz statikus RAM memóriára? == | ||
#Az | {{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,8|pontozás=-}} | ||
# | # Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz | ||
# | # Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva | ||
# | # A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg. | ||
# Rendszeresen frissíteni kell. | |||
# A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát. | |||
# Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen. | |||
# Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik. | |||
# Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz. | |||
== Mi igaz | == Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3,8|pontozás=-}} | |||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3, | # A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos. | ||
# | # A tárolt adat címét keressük. | ||
# | # A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található. | ||
# Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt | |||
#A | # A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található. | ||
# Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik. | |||
# A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon. | |||
# Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges. | |||
# | |||
#A | |||
#A | |||
# | |||
== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? == | == Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4,5,6,8|pontozás=-}} | |||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz= | # Az elemi cella mindig egy bit információt tárol. | ||
# | # Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk. | ||
#Az elemi cellát a | # A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani. | ||
# | # A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális. | ||
#A tárolás egy memória mátrixban történik. | # A tárolás egy memória mátrixban történik. | ||
# Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért. | |||
# Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk. | |||
# A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni. | |||
#Az elemi cella | |||
#Az | |||
# | |||
== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? == | == Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? == | ||
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4,5|pontozás=-}} | |||
{{kvízkérdés|típus= | # NF | ||
# UF | |||
# PF | |||
# FF | |||
# 10<sup>−15</sup> F | |||
# 1000F | |||
# 10<sup>−9</sup> F | |||
# 10<sup>−6</sup> F | |||
# | |||
# | |||
# | |||
# | |||
# | |||
# | |||
# | |||
# |