„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés

A VIK Wikiből
← Régebbi szerkesztés
VizuálisWikiszöveges
Nincs szerkesztési összefoglaló
Nincs szerkesztési összefoglaló
 
(4 közbenső módosítás, amit 2 másik szerkesztő végzett, nincs mutatva)
1. sor: 1. sor:
{{Kvízoldal
{{kvízoldal|cím=Kikérdező|pontozás=-}}
|cím=Kikérdező
}}
 
== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}}
#Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
#Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
#A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
#A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
 
== Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3}}
#A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
#A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
#NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
#Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
 
== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4}}
#Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
#Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
#Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
#Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés


== Mi igaz OTP ROM memóriákra? ==
== Mi igaz OTP ROM memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4|pontozás=-}}
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}}
# Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
#Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
# Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
#Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
# A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
#A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
# A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
#A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
 
== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3}}
#A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
#A tárolt adat címét keressük.
#A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
#Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
 
== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3}}
#Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
#Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
#A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
#Rendszeresen frissíteni kell.
 
== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
 
{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=4}}
#nF
#uF
#pF
#fF
 
== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,4}}
#A tárolás egy memória mátrixban történik.
#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.


== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==
== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4|pontozás=-}}
# Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
# A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
# A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
# Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.


{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4}}
== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==
#Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,4|pontozás=-}}
#A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
# DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
#A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
# Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
#Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
# Rendszeresen frissíteni kell.
# A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.


== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
== Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,5,6|pontozás=-}}
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}}
# A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
# A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
# NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
# Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
# Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
 
# A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
# MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
 
# Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.
{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=1}}
#10−15F
#1000F
#10−9F
#10−6F


== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==
== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4,5,7|pontozás=-}}
# Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
# Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
# Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
# Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
# Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
# Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
# Az információ gyártáskor kerül bele.
# Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés


{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}}
== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
#Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,8|pontozás=-}}
#Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
# Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
#Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
# Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
#Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
# A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
# Rendszeresen frissíteni kell.
# A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
# Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
# Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
# Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.


== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==
== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3,8|pontozás=-}}
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,4}}
# A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
#DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
# A tárolt adat címét keressük.
#Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
# A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
#Rendszeresen frissíteni kell.
# Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
#A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.
# A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
 
# Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
# A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
 
# Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=3,4}}
#Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
#A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
#A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
#Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.


== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4,5,6,8|pontozás=-}}
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4}}
# Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
# Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
# A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
# A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
#A tárolás egy memória mátrixban történik.
# A tárolás egy memória mátrixban történik.
 
# Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
# Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
 
# A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1}}
#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
 
== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3}}
#Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
#Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
#Az információ gyártáskor kerül bele.
#Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés


== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4,5|pontozás=-}}
{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=1}}
# NF
#fF
# UF
#uF
# PF
#pF
# FF
#nF
# 10<sup>−15</sup> F
 
# 1000F
== Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==
# 10<sup>−9</sup> F
 
# 10<sup>−6</sup> F
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2}}
#Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
#A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
#MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
#Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.
 
== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==
 
{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}}
#A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
#Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
#A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
#Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.

A lap jelenlegi, 2022. december 14., 20:07-kori változata

Kikérdező
Statisztika
Átlagteljesítmény
-
Eddigi kérdések
0
Kapott pontok
0
Alapbeállított pontozás
(-)
-
Beállítások
Minden kérdés látszik
-
Véletlenszerű sorrend
-
-


Mi igaz OTP ROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 2,4. Pontozás: -.

  1. Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
  2. Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
  3. A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
  4. A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.

Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra?

Típus: több. Válasz: 1,3,4. Pontozás: -.

  1. Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
  2. A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
  3. A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
  4. Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.

Mi igaz dinamikus RAM memóriára?

Típus: több. Válasz: 2,3,4. Pontozás: -.

  1. DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
  2. Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
  3. Rendszeresen frissíteni kell.
  4. A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.

Mi igaz flash EEPROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,3,5,6. Pontozás: -.

  1. A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
  2. A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
  3. NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
  4. Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
  5. Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
  6. A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
  7. MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
  8. Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.

Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,4,5,7. Pontozás: -.

  1. Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
  2. Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
  3. Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
  4. Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
  5. Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
  6. Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
  7. Az információ gyártáskor kerül bele.
  8. Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés

Mi igaz statikus RAM memóriára?

Típus: több. Válasz: 2,3,8. Pontozás: -.

  1. Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
  2. Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
  3. A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
  4. Rendszeresen frissíteni kell.
  5. A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
  6. Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
  7. Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
  8. Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.

Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra?

Típus: több. Válasz: 1,2,3,8. Pontozás: -.

  1. A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
  2. A tárolt adat címét keressük.
  3. A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
  4. Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
  5. A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
  6. Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
  7. A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
  8. Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.

Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére?

Típus: több. Válasz: 2,4,5,6,8. Pontozás: -.

  1. Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
  2. Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
  3. A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
  4. A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
  5. A tárolás egy memória mátrixban történik.
  6. Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
  7. Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
  8. A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.

Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?

Típus: több. Válasz: 4,5. Pontozás: -.

  1. NF
  2. UF
  3. PF
  4. FF
  5. 10−15 F
  6. 1000F
  7. 10−9 F
  8. 10−6 F
A lap eredeti címe: „https://vik.wiki/index.php?title=ITeszk4_Kikérdező&oldid=203245”