„Laboratórium 2 - 5. Mérés ellenőrző kérdései” változatai közötti eltérés

@@ 104. sor: / 104. sor: @@
 '''Megoldás:'''
+Földelt emitteres, egytelepes alapkapcsolás:
+[[File:Labor2_mérés5_ábra5.jpg|500px]]
+Munkaponti analízisnél egyenáramokkal és egyenfeszültségekkel dolgozunk, ennél fogva a kondenzátorok szakadásnak, illetve a kisjelű feszültséggenerátor pedig rövidzárnak vehető.
+Felírva a tranzisztor bázisára egy Thevenin helyettesítő képet, majd pedig egy huroktörvényt, valamint felhasználva a tranzisztor karakterisztikáját, adódik az alábbi egyenletrendszer:
+<math>U_t \cdot {R_2 \over R_1 + R_2 } = (R_1 \times R_2) \cdot (1-A)\cdot i_{E} + u_{BE} + R_E \cdot i_{E}</math>
+<math>i_E=I_{E00} \cdot \left[ \exp \left( {u_{BE} \over U_T}\right) -1 \right]</math>
+Ez azonban csak iterációval lenne megoldható, de jó közelítéssel <math>U_{BE0} = 0.6 \; V</math> állandónak vehető.
+Tehát az egyenletrendszer redukálható egy egyismeretlenes egyenletté:
+<math>I_{E0} = {U_t \cdot {R_2 \over R_1 + R_2 } - U_{BE0} \over R_E +(R_1 \times R_2) \cdot (1-A)}</math>
+A kolletktor-emitter körre felírható hurokegyenlettel pedig számítható a tranzisztor <math>U_{CE0}</math> munkaponti értéke:
 ==8. Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztorok vezetés (g) és hibrid (h) paraméterei a tranzisztorok munkaponti adataiból? ==