Elektronika

Követelmények

A félévközi jegy kialakítása a két nagy zárthelyin és a két legjobb kis zárthelyin szerzett pontok összege alapján történik. Továbbá 70%-os részvétel a gyakorlatokon, azaz 4 elfogadott gyakorlat.

Segédanyagok

Moodle-ön levő fóliákból érdemes felkészülni, mert könnyen érthető és jó.

2012-es első zh-ra készülés google docs-on

KisZH-k, beugrók

2., 4. gyakorlaton, továbbá az utolsó előadáson van kisZH, mindegyik 10 pontos.

Ezek közül a kettő legjobb eredménye számít, egyiket sem kötelező megírni.

1. ZH

Elméleti kérdések (20 pont) + Számpéldák (10 pont) -- 60 perc

• 2011
  • A,B csoport - 2011 1.zh megoldás nélkül

2. ZH

Elméleti kérdések (20 pont) + Számpéldák (30 pont) -- 90 perc

• 2011
  • A,B csoport - 2011 2.zh megoldás nélkül

• 2012
  • A,B csoport - 2012 2.zh megoldás nélkül

Tippek

Ne illetődj meg ha gyak közben újra kell indítani a gépet,

ezt leszámítva a gyakorlatokkal hamar lehet végezni.

Tippek feladatokhoz:

• Ohm-törvényt, Kirchoff törvényeket (másnéven hurok ill. csomóponti törvényeket) illik ismerni, nélkülük "elég" nehéz boldogulni. Érdemes minél több hurokra felírni huroktörvényt, előbb-utóbb lesz annyi egyenleted (persze az alapképletekkel együtt) ahány ismeretlened...:)
• A diódán mindig $0,7V$ feszültség esik (néha mást adnak meg $U_{d}$-re, akkor az) nyitóirányban, záróirányban pedig szakadásként viselkedik, azaz kb. olyan, mintha el lenne vágva a vezeték.
• Zener diódás feladatoknál a dióda mindig záróirányba van előfeszítve, ott a letörési feszültség esik a diódán, de amikor a diódán eső feszültséget kérdezik, mindig hozzá kell számolni a differenciális ellenállásán eső feszültséget. (ehhez általában meg van adva a diff. ellenállása, az áramot meg általában ki lehet számolni a másik ellenállás segítségével, ezek után $U=I*R$), tehát mondjuk egy $5V$ letörési feszültségű Zener diódán ilyen $5,01-5,2V$ esik (kb.).
• A drain a pozitívabb feszültségű, a source a negatívabb. És az általunk vett egyszerű esetekben az áramkörökben a föld a legnegatívabb, a táp a legpozitívabb.
• A bipoláris tranzisztorra: $I_{c}=BI_{b}$ és $I_{e}=(B+1)\cdot I_{b}$, ezekből kell kiindulni normál aktív állapotban (áltálában $I_{b}$-t adják meg vagy egyszerűen ki lehet számolni, $B$-t pedig mindig megadják), és miután megvan $I_{c}$ és $I_{e}$ így a kollektor és emitter ellenállásokon eső feszültséget egy Ohm-törvény alkalmazással meghatározhatjuk.
• MOS tranzisztorokról annyit érdemes tudni, hogy Isource=Idrain, azaz tulajdonképpen csak "egyféle" árama van. Az Igate mindig 0. Az $I={\frac {K}{2}}{\frac {W}{L}}(U_{gs}-V_{t})^{2}$ képletből általában egyetlen dolog hiányzik.
• JFET-re: $I_{d}=I_{dss}\left(1-\left({\frac {U_{gs}}{V_{p}}}\right)\right)^{2}$, ebből szintén általában csak 1 dolog hiányzik.
• A helyettesítő képeket is előszeretettel kérdezgetik mostanában erről viszont fogalmam sincs, ha valaki tudja, hogyan kell felrajzolni őket, írja be ide.
• És egy általános tanács: sokszor segíthet, ha az ábrára berajzolgatjátok, hogy hol mekkora a feszültség, az egyes ellenállásokon, diódákon és tranzisztorok átmenetein mekkora feszültség esik, illetve merre mekkora áram folyik. Könnyen feltűnhet, hogy hoppá hiszen minden megvan egy adott hurokban, vagy csomópontban és akkor a maradék áramnak merre kell folyni, vagy a hiányzó feszültségnek hol kell esnie.

Gyakvezérek

Bein Márton, beinATeet.bme.hu

Czett Andor, czettATeet.bme.hu

Horváth Péter, horvathpATeet.bme.hu

Jani Lázár, jcoleeATt-online.hu

Nagy Gergely, nagygATeet.bme.hu

Ress Sándor, ressATeet.bme.hu

Riedl Tamás, tomessz89ATgmail.com

Takács Gábor, takacsATeet.bme.hu

Végh Gerzson, veghATeet.bme.hu

Kedvcsináló

Kis odafigyeléssel a tárgy könnyen teljesíthető négyesre-ötösre.