„Anyagtudomány - Vizsgakérdések” változatai közötti eltérés
A VIK Wikiből
Új oldal, tartalma: „{{GlobalTemplate|Villanyalap|AnyagtudVizsga}} ===Anyagtudomány vizsgakérdések=== (Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!) ====2005/06 I. félév==== =====20…” |
aNincs szerkesztési összefoglaló |
||
1. sor: | 1. sor: | ||
===Anyagtudomány vizsgakérdések=== | ===Anyagtudomány vizsgakérdések=== | ||
(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!) | (Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!) | ||
==2005/06 I. félév== | |||
===2006. január 9.=== | |||
* Mi az a kockatextúra? | * Mi az a kockatextúra? | ||
**A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában. | |||
* Fick 2 | * Fick 2 | ||
**A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet. | |||
* Moore-törvény | * Moore-törvény | ||
** Évente megduplázódik a IC összetettsége | ** Évente megduplázódik a IC összetettsége | ||
* Kontrakció | * Kontrakció | ||
**Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke. | |||
* Bragg-egyenlet | * Bragg-egyenlet | ||
** n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio | ** n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio ,ahol n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög | ||
* Smith-diagram | * Smith-diagram | ||
* Folyadékkristályok fajtái | * Folyadékkristályok fajtái | ||
25. sor: | 22. sor: | ||
** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió. | ** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió. | ||
* Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.) | * Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.) | ||
**Ionbombázás- Kis térben valamilyen módon, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt. | |||
* Egykristály | * Egykristály | ||
* Zónázás. Megoszlási tényező. | * Zónázás. Megoszlási tényező. | ||
37. sor: | 34. sor: | ||
* Anizotrópia | * Anizotrópia | ||
===2006. január 16.=== | |||
* Permalloy alkalmazása | * Permalloy alkalmazása | ||
63. sor: | 60. sor: | ||
* Optikai mikroszkóp felbontóképessége | * Optikai mikroszkóp felbontóképessége | ||
===2006. január 19.=== | |||
* Magnetostrikció | * Magnetostrikció | ||
86. sor: | 83. sor: | ||
* Félvezetők gyártási technológiája | * Félvezetők gyártási technológiája | ||
===2006. január 23.=== | |||
* fullerén | * fullerén | ||
95. sor: | 90. sor: | ||
* hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár? | * hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár? | ||
* mi az összefüggés anizotrópia és textúra között? | * mi az összefüggés anizotrópia és textúra között? | ||
* mire használná az | * mire használná az AlNiCo ötvözetet? | ||
* mire használná a konstantánt? | * mire használná a konstantánt? | ||
* Curie-hőmérséklet | * Curie-hőmérséklet | ||
109. sor: | 104. sor: | ||
* réteges félvezető gyártási technológiák | * réteges félvezető gyártási technológiák | ||
* milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem? | * milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem? | ||
[[Category:Villanyalap]] | [[Category:Villanyalap]] |
A lap 2013. február 24., 01:02-kori változata
Anyagtudomány vizsgakérdések
(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)
2005/06 I. félév
2006. január 9.
- Mi az a kockatextúra?
- A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.
- Fick 2
- A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.
- Moore-törvény
- Évente megduplázódik a IC összetettsége
- Kontrakció
- Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.
- Bragg-egyenlet
- n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio ,ahol n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög
- Smith-diagram
- Folyadékkristályok fajtái
- n/N=e a "-Wü/kT"-ediken
- Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.
- Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)
- Ionbombázás- Kis térben valamilyen módon, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.
- Egykristály
- Zónázás. Megoszlási tényező.
- Miben(?) hasonlítanak a sűrűn pakolt hexagonális és az fkk anyagok (kristályrácsuk (rétegződés))
- Curie-hőmérséklet
- Karakterisztikus röntgensugárzás létrejöttének oka
- Miben különbözik az atomerő- és az alagútmikroszkóp?
- Mi a kúszás? Mik ennek fémszerkezeti okai?
- Domenfal
- Mit bizonyít a Kirkendall-kísérlet?
- Anizotrópia
2006. január 16.
- Permalloy alkalmazása
- Amorf fémek
- Egyensúlyi diagramok felvételének módszere
- Atomátmérő
- A kristályrácsban két legközelebbi atom távolsága.
- Intermetallikus vegyület
- Olyan ötvözet (több atomfajtából felépülő kristály), amelyben a kristály rácspontjaiban nem a különböző atomok állnak, hanem a vegyületük, azaz a két (vagy több) atomból felépülő molekulák. Figyelem, ez egyfázisú anyag, annak ellenére, hogy két (vagy több) atom vesz részt benne, és általában minőségileg is erősen különbözik a két atom által külön-külön felépített kristályos fázisokból képződő ötvözettől.
- Szubsztitúcios oldat fogalma, típusok
- Termokompressziós kötes
- Szilárdságnövelő eljárások
- Kockatextúra
- Remanens indukció
- Lágyforraszanyagokra vonatkozó jogszabály változása
- Charpy-féle vizsgálat
- Hooke-törvény
- Transzlációs egyenlet
- Termikus rácshiba
- Pásztázó elektronmikroszkóp működési elve
- Czochralsky-egykristály
- FKK elemek elektromos vezetési tulajdonságai
- Javasolt-e INVAR ötvözet vezetékanyagnak? Miért?
- Igen, a kis hőtágulása miatt.
- Optikai mikroszkóp felbontóképessége
2006. január 19.
- Magnetostrikció
- Kifáradási határ
- Folyáshatár
- Kisciklusú fáradás
- Bragg-egyenlet
- Fick II.
- Alagútmikroszkóp működési elve
- Szilárd oldatok típusai
- Allotróp átalakulás
- Fehér(röntgen) sugárzás
- Homogén magképződés
- n-típusú félvezetők
- Mi szükséges a diszlokációk csúszásához?
- Diszlokációk mászása
- Keveredési entrópia
- Mi a különbség és a hasonlóság az eutektikum és az eutektoid között?
- Rétegződési hiba
- Martenzites átalakulás
- Keménységvizsgálat elve
- Félvezetők gyártási technológiája
2006. január 23.
- fullerén
- irány Miller-index
- szövetelem
- hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?
- mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?
- mire használná az AlNiCo ötvözetet?
- mire használná a konstantánt?
- Curie-hőmérséklet
- A paramágneses - ferromágneses átalakulás hőmérséklete
- Kirkendall-kísérlet
- Smith-diagram
- hogyan működik az atomerőmikroszkóp?
- hogy kapjuk meg a ridegből képlékenybe átmenet hőmérsékletét?
- megújulás
- kiválásos nemesítés
- mire alkalmaznál egy lágyferrites anyagot?
- fotoreziszt technika
- réteges félvezető gyártási technológiák
- milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?