„Anyagtudomány - Vizsgakérdések” változatai közötti eltérés
a David14 átnevezte a(z) AnyagtudVizsga lapot a következő névre: Anyagtudomány - Vizsgakérdések |
aNincs szerkesztési összefoglaló |
||
| (Egy közbenső módosítás, amit egy másik szerkesztő végzett, nincs mutatva) | |||
| 4. sor: | 4. sor: | ||
==2005/2006 I. félév== | ==2005/2006 I. félév== | ||
===2006. január 9.=== | ===2006. január 9.=== | ||
* Mi az a kockatextúra? | * Mi az a kockatextúra? | ||
**A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában. | **A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában. | ||
| 14. sor: | 12. sor: | ||
** Évente megduplázódik a IC összetettsége | ** Évente megduplázódik a IC összetettsége | ||
* Kontrakció | * Kontrakció | ||
**Z= | **<math>Z = \frac{A_0 - A}{A_0} \cdot 100 \%</math>, A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke. | ||
* Bragg-egyenlet | * Bragg-egyenlet | ||
** n | ** <math>n \cdot \lambda = 2 d \sin \alpha</math> röntgendifrakció,ahol n egész szám, d rácstávolság alfa beesési szög | ||
* Smith-diagram | * Smith-diagram | ||
* Folyadékkristályok fajtái | * Folyadékkristályok fajtái | ||
* n | * <math>\frac{n}{N} = e^{-W_u/kT}</math> | ||
** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió. | ** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió. | ||
* Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.) | * Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.) | ||
| 35. sor: | 33. sor: | ||
===2006. január 16.=== | ===2006. január 16.=== | ||
* Permalloy alkalmazása | * Permalloy alkalmazása | ||
* Amorf fémek | * Amorf fémek | ||
| 61. sor: | 58. sor: | ||
===2006. január 19.=== | ===2006. január 19.=== | ||
* Magnetostrikció | * Magnetostrikció | ||
* Kifáradási határ | * Kifáradási határ | ||
| 84. sor: | 80. sor: | ||
===2006. január 23.=== | ===2006. január 23.=== | ||
* fullerén | * fullerén | ||
* irány Miller-index | * irány Miller-index | ||
| 103. sor: | 98. sor: | ||
* fotoreziszt technika | * fotoreziszt technika | ||
* réteges félvezető gyártási technológiák | * réteges félvezető gyártási technológiák | ||
* milyen hibákat | * milyen hibákat tartalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem? | ||
[[ | [[Kategória:Villamosmérnök]] | ||