„Anyagtudomány - Vizsgakérdések” változatai közötti eltérés

(4 közbenső módosítás, amit 2 másik szerkesztő végzett, nincs mutatva)

1. sor:

~~===Anyagtudomány vizsgakérdések===~~

Ide lehet összegyűjteni az anyagtudomány vizsgakérdéseket, és a hozzájuk tartozó válaszokat.

~~(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)~~

~~====2005/06 I~~. ~~félév====~~

~~=====2006. január 9.=====~~

==2005/2006 I. félév==

===2006. január 9.===

* Mi az a kockatextúra?

A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.

**A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.

* Fick 2

A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.

**A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.

* Moore-törvény

** Évente megduplázódik a IC összetettsége

* Kontrakció

Z=~~(A0~~-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.

**<math>Z = \frac{A_0 - A}{A_0} \cdot 100 \%</math>, A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.

* Bragg-egyenlet

** n*"lamda" = 2d*sin~~"alfa" röntgendifrakcio~~

** <math>n \cdot \lambda = 2 d \sin \alpha</math> röntgendifrakció,ahol n egész szám, d rácstávolság alfa beesési szög

n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög

* Smith-diagram

* Folyadékkristályok fajtái

* n/N=e ~~a "~~-Wü/kT~~"-ediken~~

* <math>\frac{n}{N} = e^{-W_u/kT}</math>

** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.

* Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)

Ionbombázás- Kis térben valamilyen ~~módn~~, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.

**Ionbombázás- Kis térben valamilyen módon, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.

* Egykristály

* Zónázás. Megoszlási tényező.

37. sor:

32. sor:

* Anizotrópia

=====2006. január 16.=====

===2006. január 16.===

* Permalloy alkalmazása

* Amorf fémek

63. sor:

57. sor:

* Optikai mikroszkóp felbontóképessége

=====2006. január 19.=====

===2006. január 19.===

* Magnetostrikció

* Kifáradási határ

86. sor:

79. sor:

* Félvezetők gyártási technológiája

=====2006. január 23.=====

===2006. január 23.===

~~A mai vizsga feladatai emlékeim alapján. 2 nem jutott eszembe.~~

* fullerén

* irány Miller-index

95. sor:

85. sor:

* hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?

* mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?

* mire használná az [[AlNiCo]] ötvözetet?

* mire használná az AlNiCo ötvözetet?

* mire használná a konstantánt?

* Curie-hőmérséklet

108. sor:

98. sor:

* fotoreziszt technika

* réteges félvezető gyártási technológiák

* milyen hibákat ~~tantalmazhat~~ egy egykristály, és milyeneket nem?

* milyen hibákat tartalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?

*

~~-- [[HarasztiRobert|Robi]] - 2006.01.19.~~

[[~~Category~~:~~Villanyalap~~]]

[[Kategória:Villamosmérnök]]

@@ 1. sor: / 1. sor: @@
-{{GlobalTemplate|Villanyalap|AnyagtudVizsga}}
+{{Vissza|Anyagtudomány}}
-===Anyagtudomány vizsgakérdések===
+Ide lehet összegyűjteni az anyagtudomány vizsgakérdéseket, és a hozzájuk tartozó válaszokat.
-(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)
-====2005/06  I. félév====
-=====2006. január 9.=====
+==2005/2006 I. félév==
+===2006. január 9.===
 * Mi az a kockatextúra?
-		A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.
+**A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.
 * Fick 2
-		A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.
+**A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.
 * Moore-törvény
 ** Évente megduplázódik a IC összetettsége
 * Kontrakció
-		Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.
+**<math>Z = \frac{A_0 - A}{A_0} \cdot 100 \%</math>,  A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.
 * Bragg-egyenlet
-** n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio
+** <math>n \cdot \lambda = 2 d \sin \alpha</math> röntgendifrakció,ahol n egész szám, d rácstávolság alfa beesési szög
-		  n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög
 * Smith-diagram
 * Folyadékkristályok fajtái
-* n/N=e a "-Wü/kT"-ediken
+* <math>\frac{n}{N} = e^{-W_u/kT}</math>
 ** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs  energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.
 * Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)
-	  Ionbombázás- Kis térben valamilyen módn, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.
+**Ionbombázás- Kis térben valamilyen módon, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.
 * Egykristály
 * Zónázás. Megoszlási tényező.
@@ 37. sor: / 32. sor: @@
 * Anizotrópia
-=====2006. január 16.=====
+===2006. január 16.===
 * Permalloy alkalmazása
 * Amorf fémek
@@ 63. sor: / 57. sor: @@
 * Optikai mikroszkóp felbontóképessége
-=====2006. január 19.=====
+===2006. január 19.===
 * Magnetostrikció
 * Kifáradási határ
@@ 86. sor: / 79. sor: @@
 * Félvezetők gyártási technológiája
-=====2006. január 23.=====
+===2006. január 23.===
-A mai vizsga feladatai emlékeim alapján. 2 nem jutott eszembe.
 * fullerén
 * irány Miller-index
@@ 95. sor: / 85. sor: @@
 * hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?
 * mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?
-* mire használná az [[AlNiCo]] ötvözetet?
+* mire használná az AlNiCo ötvözetet?
 * mire használná a konstantánt?
 * Curie-hőmérséklet
@@ 108. sor: / 98. sor: @@
 * fotoreziszt technika
 * réteges félvezető gyártási technológiák
-* milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?
+* milyen hibákat tartalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?
-*
-*
--- [[HarasztiRobert|Robi]] - 2006.01.19.
-[[Category:Villanyalap]]
+[[Kategória:Villamosmérnök]]