„Anyagtudomány - Vizsgakérdések” változatai közötti eltérés

A VIK Wikiből
Új oldal, tartalma: „{{GlobalTemplate|Villanyalap|AnyagtudVizsga}} ===Anyagtudomány vizsgakérdések=== (Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!) ====2005/06 I. félév==== =====20…”
 
David14 (vitalap | szerkesztései)
aNincs szerkesztési összefoglaló
1. sor: 1. sor:
{{GlobalTemplate|Villanyalap|AnyagtudVizsga}}
===Anyagtudomány vizsgakérdések===
===Anyagtudomány vizsgakérdések===


(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)
(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)


====2005/06  I. félév====
==2005/06  I. félév==


=====2006. január 9.=====
===2006. január 9.===


* Mi az a kockatextúra?
* Mi az a kockatextúra?
A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.
**A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.
* Fick 2
* Fick 2
A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.
**A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.
* Moore-törvény
* Moore-törvény
** Évente megduplázódik a IC összetettsége  
** Évente megduplázódik a IC összetettsége  
* Kontrakció
* Kontrakció
Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.
**Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.
* Bragg-egyenlet
* Bragg-egyenlet
** n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio  
** n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio ,ahol n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög
  n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög
* Smith-diagram
* Smith-diagram
* Folyadékkristályok fajtái
* Folyadékkristályok fajtái
25. sor: 22. sor:
** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs  energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.
** Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs  energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.
* Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)
* Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)
  Ionbombázás- Kis térben valamilyen módn, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.
**Ionbombázás- Kis térben valamilyen módon, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.
* Egykristály
* Egykristály
* Zónázás. Megoszlási tényező.
* Zónázás. Megoszlási tényező.
37. sor: 34. sor:
* Anizotrópia
* Anizotrópia


=====2006. január 16.=====
===2006. január 16.===


* Permalloy alkalmazása
* Permalloy alkalmazása
63. sor: 60. sor:
* Optikai mikroszkóp felbontóképessége
* Optikai mikroszkóp felbontóképessége


=====2006. január 19.=====
===2006. január 19.===


* Magnetostrikció
* Magnetostrikció
86. sor: 83. sor:
* Félvezetők gyártási technológiája
* Félvezetők gyártási technológiája


=====2006. január 23.=====
===2006. január 23.===
 
A mai vizsga feladatai emlékeim alapján. 2 nem jutott eszembe.


* fullerén
* fullerén
95. sor: 90. sor:
* hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?
* hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?
* mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?
* mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?
* mire használná az [[AlNiCo]] ötvözetet?
* mire használná az AlNiCo ötvözetet?
* mire használná a konstantánt?
* mire használná a konstantánt?
* Curie-hőmérséklet
* Curie-hőmérséklet
109. sor: 104. sor:
* réteges félvezető gyártási technológiák
* réteges félvezető gyártási technológiák
* milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?
* milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?
*
*
-- [[HarasztiRobert|Robi]] - 2006.01.19.


[[Category:Villanyalap]]
[[Category:Villanyalap]]

A lap 2013. február 24., 01:02-kori változata

Anyagtudomány vizsgakérdések

(Válaszokat szerkesszétek alá nyugodtan!)

2005/06 I. félév

2006. január 9.

  • Mi az a kockatextúra?
    • A krisztallitok [100] és [010] iránya benne fekszik a hengerelt lemez síkjában.
  • Fick 2
    • A diffundáló anyag koncentrációváltozásának időfüggését megadó differenciálegyenlet.
  • Moore-törvény
    • Évente megduplázódik a IC összetettsége
  • Kontrakció
    • Z=(A0-A)/A0*100% A0 - anyag eredeti keresztmetszete, A - szakadási keresztmetszet -> keresztmetszet csökkenés, annak fajlagos értéke.
  • Bragg-egyenlet
    • n*"lamda" = 2d*sin"alfa" röntgendifrakcio ,ahol n egész szám d rácstávolság alfa beesési szög
  • Smith-diagram
  • Folyadékkristályok fajtái
  • n/N=e a "-Wü/kT"-ediken
    • Ez tehát az üres rácshelyek (vakanciák) átlagos száma (termodinaikai egyensúlyi helyzetben). N az összes rácshely, Wü az aktivációs energia (lásd fent), kT meg a hőmérséklet és a Boltzmann állandó szorzata (mint a fizikában). Mellesleg ugyanez a képlet érvényes minden un. termikusan aktivált folyamatra: ahol a folyamat végbemeneteléhez az atomoknak bizonyos energiamennyiséggel kell rendelkeznie (aktivációs energia) és ezt a hőmozgásból nyerik. Ilyen folyamat még a diffúzió.
  • Félvezetők rétegképzéses technológiája (megj.:epitaxia, ionbombázás stb.)
    • Ionbombázás- Kis térben valamilyen módon, meghatározott ionokat állítanak elő. ezeket a töltött részecskéket elektromos térrel felgyorsítják és ott ütközésük révén lelassulva, megváltoztatják a kémiai koncentrációt.
  • Egykristály
  • Zónázás. Megoszlási tényező.
  • Miben(?) hasonlítanak a sűrűn pakolt hexagonális és az fkk anyagok (kristályrácsuk (rétegződés))
  • Curie-hőmérséklet
  • Karakterisztikus röntgensugárzás létrejöttének oka
  • Miben különbözik az atomerő- és az alagútmikroszkóp?
  • Mi a kúszás? Mik ennek fémszerkezeti okai?
  • Domenfal
  • Mit bizonyít a Kirkendall-kísérlet?
  • Anizotrópia

2006. január 16.

  • Permalloy alkalmazása
  • Amorf fémek
  • Egyensúlyi diagramok felvételének módszere
  • Atomátmérő
    • A kristályrácsban két legközelebbi atom távolsága.
  • Intermetallikus vegyület
    • Olyan ötvözet (több atomfajtából felépülő kristály), amelyben a kristály rácspontjaiban nem a különböző atomok állnak, hanem a vegyületük, azaz a két (vagy több) atomból felépülő molekulák. Figyelem, ez egyfázisú anyag, annak ellenére, hogy két (vagy több) atom vesz részt benne, és általában minőségileg is erősen különbözik a két atom által külön-külön felépített kristályos fázisokból képződő ötvözettől.
  • Szubsztitúcios oldat fogalma, típusok
  • Termokompressziós kötes
  • Szilárdságnövelő eljárások
  • Kockatextúra
  • Remanens indukció
  • Lágyforraszanyagokra vonatkozó jogszabály változása
  • Charpy-féle vizsgálat
  • Hooke-törvény
  • Transzlációs egyenlet
  • Termikus rácshiba
  • Pásztázó elektronmikroszkóp működési elve
  • Czochralsky-egykristály
  • FKK elemek elektromos vezetési tulajdonságai
  • Javasolt-e INVAR ötvözet vezetékanyagnak? Miért?
    • Igen, a kis hőtágulása miatt.
  • Optikai mikroszkóp felbontóképessége

2006. január 19.

  • Magnetostrikció
  • Kifáradási határ
  • Folyáshatár
  • Kisciklusú fáradás
  • Bragg-egyenlet
  • Fick II.
  • Alagútmikroszkóp működési elve
  • Szilárd oldatok típusai
  • Allotróp átalakulás
  • Fehér(röntgen) sugárzás
  • Homogén magképződés
  • n-típusú félvezetők
  • Mi szükséges a diszlokációk csúszásához?
  • Diszlokációk mászása
  • Keveredési entrópia
  • Mi a különbség és a hasonlóság az eutektikum és az eutektoid között?
  • Rétegződési hiba
  • Martenzites átalakulás
  • Keménységvizsgálat elve
  • Félvezetők gyártási technológiája

2006. január 23.

  • fullerén
  • irány Miller-index
  • szövetelem
  • hogyan változik a diszlokációk számától függően a folyáshatár?
  • mi az összefüggés anizotrópia és textúra között?
  • mire használná az AlNiCo ötvözetet?
  • mire használná a konstantánt?
  • Curie-hőmérséklet
    • A paramágneses - ferromágneses átalakulás hőmérséklete
  • Kirkendall-kísérlet
  • Smith-diagram
  • hogyan működik az atomerőmikroszkóp?
  • hogy kapjuk meg a ridegből képlékenybe átmenet hőmérsékletét?
  • megújulás
  • kiválásos nemesítés
  • mire alkalmaznál egy lágyferrites anyagot?
  • fotoreziszt technika
  • réteges félvezető gyártási technológiák
  • milyen hibákat tantalmazhat egy egykristály, és milyeneket nem?