„Elektronika alapjai” változatai közötti eltérés
→Előadások: Óra anyagának hozzáadása |
→Gyakorlatok: Óra anyagának hozzáadása |
||
| 55. sor: | 55. sor: | ||
* 4. hét ([[Media:ELA_gyak_04_20240306_feladatok.pdf |feladatok]], [[Media:ELA_04.gyak.pdf | prezentáció]]): CMOS-áramkör logikai függvényének megállapítása ([https://ictlab.kz/extra/Kmap/ online igazságtáblázat], De Morgan-azonosságok), áramkör áttervezése logikai függvény alapján, transzferkapu-áramkör logikai függvényének megállapítása, latch átalakítása, fogyasztás kiszámítása, NAND-kapu kimeneti valószínűségének kiszámítása, ripple-carry adder késleltetésének kiszámítása | * 4. hét ([[Media:ELA_gyak_04_20240306_feladatok.pdf |feladatok]], [[Media:ELA_04.gyak.pdf | prezentáció]]): CMOS-áramkör logikai függvényének megállapítása ([https://ictlab.kz/extra/Kmap/ online igazságtáblázat], De Morgan-azonosságok), áramkör áttervezése logikai függvény alapján, transzferkapu-áramkör logikai függvényének megállapítása, latch átalakítása, fogyasztás kiszámítása, NAND-kapu kimeneti valószínűségének kiszámítása, ripple-carry adder késleltetésének kiszámítása | ||
* 5. hét ([[Media:ELA_gyak_05_20240313_feladatok.pdf |feladatok]], [[Media:ELA_05.gyak.pdf | prezentáció]]): memória jellemzőinek kiszámítása ábra alapján; SRAM működésének, előnyeinek és hátrányainak leírása kapcsolási rajz alapján; DRAM bitvonala feszültségváltozásának megadása kapacitások és tápfeszültség alapján; elektronok számának meghatározása kapacitás és feszültség alapján, egy elektron töltésállandójának ismeretével; kapacitás feszültségcsökkenési idejének meghatározása szivárgási áramerősség vagy hőmérséklet alapján; DDR SDRAM működésének leírása ábra alapján; SLC-memória kapacitásának meghatározása MLC-memória tranzisztora alapján; flash EEPROM írhatóságának meghatározása | * 5. hét ([[Media:ELA_gyak_05_20240313_feladatok.pdf |feladatok]], [[Media:ELA_05.gyak.pdf | prezentáció]]): memória jellemzőinek kiszámítása ábra alapján; SRAM működésének, előnyeinek és hátrányainak leírása kapcsolási rajz alapján; DRAM bitvonala feszültségváltozásának megadása kapacitások és tápfeszültség alapján; elektronok számának meghatározása kapacitás és feszültség alapján, egy elektron töltésállandójának ismeretével; kapacitás feszültségcsökkenési idejének meghatározása szivárgási áramerősség vagy hőmérséklet alapján; DDR SDRAM működésének leírása ábra alapján; SLC-memória kapacitásának meghatározása MLC-memória tranzisztora alapján; flash EEPROM írhatóságának meghatározása | ||
* 6. hét ([[Media:ELA_gyak_06_20240320_feladatok.pdf |feladatok]], [[Media:ELA_06.gyak.pdf | prezentáció]]): feszültségosztó (Thevenin-helyettesítőképének) üresjárási feszültségének és belső ellenállásának kiszámítása a tápfeszültség és ellenállások adatai alapján, erősítő terhelési feszültségének kiszámítása, Wifi-jel teljesítményének (azok arányainak) és feszültségének kiszámítása dB alapján, víz melegítéséhez szükséges idő kiszámítása teljesítmény alapján, erősítés kiszámítása kapcsolási rajz alapján | |||
* [[Media:ELA_07.gyak.pdf | 7. gyakorlat - Műveleti erősítő]] | * [[Media:ELA_07.gyak.pdf | 7. gyakorlat - Műveleti erősítő]] | ||
* [[Media:ELA_08.gyak.pdf | 8. gyakorlat]] | * [[Media:ELA_08.gyak.pdf | 8. gyakorlat]] | ||