„Laboratórium 2 - 5. Mérés ellenőrző kérdései” változatai közötti eltérés

David14 (vitalap | szerkesztései)
 
(15 közbenső módosítás, amit 4 másik szerkesztő végzett, nincs mutatva)
3. sor: 3. sor:


<div class="noautonum">__TOC__</div>
<div class="noautonum">__TOC__</div>


==1. Definiálja az aszimmetrikus erősítőkre az üzemi paramétereket! ==
==1. Definiálja az aszimmetrikus erősítőkre az üzemi paramétereket! ==
69. sor: 70. sor:


<math>\tau_{ki} = \left( R_C \times R_t \right) \cdot C_{ki}</math>
<math>\tau_{ki} = \left( R_C \times R_t \right) \cdot C_{ki}</math>
(Szerintem inkább (RC+Rt) van az utolsó képletben - SZN)


==3. Hogyan definiáljuk a felfutási és a lefutási időket? ==
==3. Hogyan definiáljuk a felfutási és a lefutási időket? ==
197. sor: 201. sor:


Szerintem ez már menni fog ez alapján mindenkinek ;)
Szerintem ez már menni fog ez alapján mindenkinek ;)
-Nekem nem ment ezek alapján, szóval ezt lehetne bővíteni.


==8. Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztorok vezetés (g) és hibrid (h) paraméterei a tranzisztorok munkaponti adataiból? ==
==8. Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztorok vezetés (g) és hibrid (h) paraméterei a tranzisztorok munkaponti adataiból? ==
Szerintem itt az a kulcs, hogy adott a bemeneti (exponenciális Ib-Ube) karakterisztika és adott a kimeneti (Ic-Uce) karakterisztika. Ha tudjuk a munkapontot és belerajzoljuk a karakterisztikákba, akkor az ekörüli elmozdulások közelítőleg megadják a hibrid paramétereket. Pl.: h11 = dUbe/dIb = (Ube2-Ube1)/(Ib2-Ib1). Mivel itt a hibrid paraméterek kisjelű  váltakozó áramú esetben értelmezettek ezért a munkapont körüli meredekségek és differenciák megadják a hibrid paramétereket. Az egyes hibrid paraméterek meghatározásához egy másik paraméter fixálása is szüksége. Például h11 nél dUce legyen 0, tehát Uce legyen állandó. Mivel amikor ránézünk egy bemeneti karakterisztikára akkor az egy olyan görbét ad, ahol Uce állandó, ezért simán a tranzisztor dokumnetációjában lévő karakterisztikából számíthatóak ezek.
(Bővebben a házi megoldására szánt ppt-ben van ez kifejtve, hogy melyik karakterisztikán milyen paraméterekhez milyen differenciák hányadosát kell venni.)


[[File:Labor2_mérés5_kép8.JPG|500px]]
[[File:Labor2_mérés5_kép8.JPG|500px]]
238. sor: 248. sor:
A hibrid karakterisztika négy paraméterének ismeretében karakterisztikaátváltó táblázatok segítségével, már könnyen meghatározhatóak a vezetési (admittancia) karakterisztika paraméterei.
A hibrid karakterisztika négy paraméterének ismeretében karakterisztikaátváltó táblázatok segítségével, már könnyen meghatározhatóak a vezetési (admittancia) karakterisztika paraméterei.


==9. Hogy számíthatók a bipoláris tranzisztoros alapkapcsolások jellemzői a tranzisztorok  g vagy h  paramétereinek ismeretében? ==
==9. Hogy számíthatók a tranzisztoros alapkapcsolások jellemzői a tranzisztorok  g vagy h  paramétereinek ismeretében? ==


'''Feladat:''' Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztoros alapkapcsolások feszültségerősítése, bemeneti  ellenállása, kimeneti ellenállása a tranzisztorok  g vagy h  paramétereinek ismeretében?
'''Feladat:''' Hogyan számíthatók ki a bipoláris tranzisztoros alapkapcsolások feszültségerősítése, bemeneti  ellenállása, kimeneti ellenállása a tranzisztorok  g vagy h  paramétereinek ismeretében?
245. sor: 255. sor:
'''Megoldás:'''
'''Megoldás:'''


==10. Rajzolja fel a bipoláris tranzisztorok nagyfrekvenciás hibrid p helyettesítőképét és határozza meg az egyes elemeinek értékét!==
A gyakorlatban legtöbbször élhetünk ezzel az egyszerűsítéssel, így a kisjelű helyettesítő képekből már kapásból kihagyhatjuk őket:
 
<math>g_{12},h_{12} \approx 0</math>
 
 
'''Földelt emitteres fokozat AC helyettesítőképe:'''
 
[[File:Labor2_méré5_kép11.JPG|800px]]
 
 
<math>A_u={ u_{ki} \over u_{be} }= {-g_{21} \cdot u_B \cdot \left( R_C \times R_t \times \left( {1 \over g_{22}} \right) \right) \over u_B} \approx - g_{21} \cdot (R_C \times R_t) </math>
 
 
<math>R_{be}={u_{be} \over i_{be}} = R_B \times \left( { 1 \over g_{11} }\right)</math>
 
 
<math>R_{ki} = R_C \times \left( { 1 \over g_{22} }\right)  \approx R_C</math>
 
 
 
 
 
'''Földelt kollektoros fokozat:'''
 
Hasonló logikával elkészítve a földelt kollektoros fokozat AC helyettesítő képét, az alábbi eredményekre juthatunk:
 
 
<math>A_u={g_{21}\cdot(R_E \times R_t) \over 1 + g_{21}\cdot(R_E \times R_t)}</math>
 
 
<math>R_{be}=R_B \times \left[ \left( {1  \over g_{11} } \right) \cdot \left( 1 + g_{21} \cdot ( R_E \times R_t) \right)  \right]</math>
 
 
<math>R_{ki}=\left( {1 \over g_{21}}\right) \times R_E \approx {1 \over g_{21}}</math>
 
==10. Rajzolja fel a tranzisztorok nagyfrekvenciás hibrid p helyettesítőképét és határozza meg az egyes elemeinek értékét!==


'''Feladat:''' Rajzolja fel a bipoláris tranzisztorok nagyfrekvenciás hibrid p helyettesítőképét és határozza meg a munkaponti adatok  ismeretében a helyettesítőkép egyes elemeinek értékét!
'''Feladat:''' Rajzolja fel a bipoláris tranzisztorok nagyfrekvenciás hibrid p helyettesítőképét és határozza meg a munkaponti adatok  ismeretében a helyettesítőkép egyes elemeinek értékét!
251. sor: 296. sor:


'''Megoldás:'''
'''Megoldás:'''
 
[[File:Labor2_méré5_kép10.JPG|500px]]
 
Bázis-hozzávezetés ellenállás: <math>r_{bb}^{\prime}</math>
 
Bázis-emitter dióda dinamikus ellenállása: <math>r_d={U_T \over I_E}</math>
 
Tranzisztor meredeksége: <math>g_m={\alpha \over r_d}</math>
 
 
Bázis-emitter közötti vezetés:<math>g_{be}^{\prime} = {q \over (1 +\beta ) r_d}</math>
 
 
Bázis-kollektor közötti vezetés: <math>g_{bc}^{\prime}={\alpha \over (1+\beta) \mu r_d}</math>
 
 
Kollektor-emitter közötti vezetés: <math>g_{ce}={\alpha \over \mu r_d}</math>
 
 
<math>\mu</math> egy adott tranzisztorra jellemző állandó.
 
==11. Mit értünk fizikai paraméterek alatt?==
==11. Mit értünk fizikai paraméterek alatt?==
Fizikai paraméterek alatt a bipoláris tranzisztor működését leíró és befolyásoló hatásokat szimbolizáló ellenállásokat,vezetéseket és kapacitásokat értjük.


==12. Milyen hatással van az emitter ellenállás a nagyfrekvenciás időállandókra?==
==12. Milyen hatással van az emitter ellenállás a nagyfrekvenciás időállandókra?==
Mivel a emitter ellenállás a felső határfrekvencia képletének nevezőjében szorzótényezőként szerepel, így ha az emitter ellenállás nő, akkor nő a nevező is, azaz csökken a felső határfrekvencia. Mivel a nagyfrekvenciás időállandó a felső határfrekvencia reciprokával arányos, így a felső határfrekvencia csökkenésével, nő a nagyfrekvenciás időállandó.


==13. Rajzolja fel a földelt emitteres alapkapcsolás kisfrekvenciás Bode-diagramját! ==
==13. Rajzolja fel a földelt emitteres alapkapcsolás kisfrekvenciás Bode-diagramját! ==
[[File:Labor2_méré5_kép12.JPG|500px]]


==14. Milyen hatással van az emitterkondenzátor a földelt emitteres erősítő Bode-diagramjára?==
==14. Milyen hatással van az emitterkondenzátor a földelt emitteres erősítő Bode-diagramjára?==


[[Category:Villanyalap]]
[[File:Labor2_méré5_kép13.JPG|600px]]
 
Az emitterkondenzátor hatását az átvitelre a következőkkel lehet jellemezni:
*A kapcsolás átvitele nulla frekvencián is véges.
*Az emitterkondenzátor hatására az áramkör átvitelében egy <math>\omega_z</math> törésponti frekvenciától kezdve az átvitel értéke nő, de csak az <math>\omega_p</math> pólusfrekvencia felett éri el a nagyfrekvenciás értékét.
*Az emitterkondenzátor a környezetében lévő ellenállások (az őt meghajtó generátor belső ellenállásának és a vele párhuzamos emitterellenállás) párhuzamos eredőjével egy <math>\omega_p</math> alsó törésponti frekvenciát határoz meg, amely felett az átvitel lényegében frekvencia függetlenné válik.
 
[[Kategória:Villamosmérnök]]