„ITeszk4 Kikérdező” változatai közötti eltérés

(8 közbenső módosítás, amit 3 másik szerkesztő végzett, nincs mutatva)

1. sor:

{{~~Kvízoldal~~

|cím=Kikérdező

}}

== Mi igaz ~~általában~~ a ~~félvezető memóriák felépítésére~~? ==

== Mi igaz OTP ROM memóriákra? ==

# Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.

# Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.

# A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.

# A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.

== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==

# Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.

# A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.

# A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.

# Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.

== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==

#Az elemi cella ~~mindig~~ egy ~~bit információt tárol.~~

#~~Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk~~.

# DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.

#A ~~cella tranzisztorai nagyméretűek~~, ~~hogy~~ a ~~hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.~~

# Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz

~~#A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális~~.

# Rendszeresen frissíteni kell.

# A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.

== Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==

# A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.

#A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.

# A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.

#A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.

# NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás

#NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás

# Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.

#Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.

# Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja

# A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.

# MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.

# Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.

== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==

# Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.

# Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.

# Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.

# Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés

# Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.

# Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.

# Az információ gyártáskor kerül bele.

# Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés

~~{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4}}~~

== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==

~~#Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.~~

~~#Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.~~

# Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz

~~#Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.~~

# Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva

~~#Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés~~

# A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.

# Rendszeresen frissíteni kell.

== Mi igaz ~~OTP ROM memóriákra~~? ==

# A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.

# Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.

# Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.

#~~Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat~~.

# Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.

#~~Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse~~.

#A ~~fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása~~ után~~) vezet~~.

#~~A programozás végleges~~, ~~a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen~~.

== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==

# A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.

#A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.

# A tárolt adat címét keressük.

#A tárolt adat címét keressük.

# A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.

#A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.

# Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt

#Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt

# A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.

# Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.

~~== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==~~

# A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.

# Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.

~~{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2~~,~~3}}~~

#~~Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást~~ tartalmaz

~~#Sem az írás~~, ~~sem az olvasások száma nincs korlátozva~~

#A ~~cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg~~.

#~~Rendszeresen frissíteni kell~~.

~~== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==~~

~~{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=4}}~~

~~#nF~~

~~#uF~~

~~#pF~~

~~#fF~~

== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==

# Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.

#A tárolás egy memória mátrixban történik.

# Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.

#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.

# A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.

#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.

# A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.

#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.

# A tárolás egy memória mátrixban történik.

# Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.

~~== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==~~

# Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.

# A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.

~~{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4}}~~

~~#Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.~~

~~#A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.~~

~~#A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.~~

~~#Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.~~

~~== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==~~

~~{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}}~~

~~#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.~~

~~#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.~~

~~#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.~~

~~#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz~~.

== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==

# NF

#~~10−15F10−15F~~

# UF

# PF

#~~1000F1000F~~

# FF

# 10−15 F

#~~10−9F10−9F~~

# 1000F

# 10−9 F

#~~10−6F10−6F~~

# 10−6 F

@@ 1. sor: / 1. sor: @@
-{{Kvízoldal
+{{kvízoldal|cím=Kikérdező|pontozás=-}}
-|cím=Kikérdező
-}}
-== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
+== Mi igaz OTP ROM memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4|pontozás=-}}
+# Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
+# Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
+# A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
+# A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
+== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4|pontozás=-}}
+# Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
+# A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
+# A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
+# Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}}
+== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==
-#Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,4|pontozás=-}}
-#Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
+# DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
-#A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
+# Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
-#A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
+# Rendszeresen frissíteni kell.
+# A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.
 == Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,5,6|pontozás=-}}
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3}}
+# A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
-#A NAND elrendezés inkább háttértárolásra alkalmasabb.
+# A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
-#A NOR elrendezés gyakoribb, mivel a cellaméret kisebb és emiatt nagy a sűrűség.
+# NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
-#NAND elrendezésben egyszerre kb. 256-512 byte-os egységekben történik a programozás
+# Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
-#Tranzisztoronként n bit tárolásához 2n2n jól megkülönböztethető küszöbfeszültség szint szükséges.
+# Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
+# A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
+# MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
+# Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.
 == Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4,5,7|pontozás=-}}
+# Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
+# Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
+# Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
+# Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
+# Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
+# Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
+# Az információ gyártáskor kerül bele.
+# Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,4}}
+== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
-#Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3,8|pontozás=-}}
-#Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
+# Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
-#Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
+# Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
-#Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
+# A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
+# Rendszeresen frissíteni kell.
-== Mi igaz OTP ROM memóriákra? ==
+# A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
+# Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4}}
+# Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
-#Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
+# Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
-#Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
-#A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
-#A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.
 == Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3,8|pontozás=-}}
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,3}}
+# A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
-#A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
+# A tárolt adat címét keressük.
-#A tárolt adat címét keressük.
+# A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
-#A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
+# Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
-#Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt
+# A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
+# Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
-== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
+# A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
+# Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,3}}
-#Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
-#Sem az írás, sem az olvasások száma nincs korlátozva
-#A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
-#Rendszeresen frissíteni kell.
-== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
-{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=4}}
-#nF
-#uF
-#pF
-#fF
 == Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=2,4,5,6,8|pontozás=-}}
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,2,4}}
+# Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
-#A tárolás egy memória mátrixban történik.
+# Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.
-#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
+# A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
-#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
+# A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
-#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
+# A tárolás egy memória mátrixban történik.
+# Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
-== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==
+# Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
+# A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=1,3,4}}
-#Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
-#A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
-#A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
-#Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.
-== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
-{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4}}
-#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
-#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
-#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
-#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
 == Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==
+{{kvízkérdés|típus=több|válasz=4,5|pontozás=-}}
-{{kvízkérdés|típus=egy|válasz=1}}
+# NF
-#10−15F10−15F
+# UF
+# PF
-#1000F1000F
+# FF
+# 10<sup>−15</sup> F
-#10−9F10−9F
+# 1000F
+# 10<sup>−9</sup> F
-#10−6F10−6F
+# 10<sup>−6</sup> F