ITeszk4 Kikérdező - Laptörténet

Kiss Ádám 2, 2022. december 14., 19:07-n

2022-12-14T19:07:59Z

Kófiás Kristóf: sup a felső indexekhez

2022-12-08T13:45:41Z

sup a felső indexekhez

← Régebbi változat		A lap 2022. december 8., 15:45-kori változata
86. sor:		86. sor:

	{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=1}}		{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=1}}
	#~~10−15F~~		#10<sup>−15</sup> F
	#1000F		#1000F
	#~~10−9F~~		#10<sup>−9</sup> F
	#~~10−6F~~		#10<sup>−6</sup> F

	== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==		== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==

Szigeti Donát, 2022. december 4., 20:00-n

2022-12-04T20:00:24Z

← Régebbi változat		A lap 2022. december 4., 22:00-kori változata
90. sor:		90. sor:
	#10−9F		#10−9F
	#10−6F		#10−6F

	~~== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==~~

	~~{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=2,4}}~~
	~~#Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.~~
	~~#Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés~~
	~~#Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.~~
	~~#Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.~~

	== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==		== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==

Szigeti Donát, 2022. december 4., 19:52-n

2022-12-04T19:52:25Z

← Régebbi változat		A lap 2022. december 4., 21:52-kori változata
106. sor:		106. sor:
	#Rendszeresen frissíteni kell.		#Rendszeresen frissíteni kell.
	#A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.		#A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.

	~~== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==~~

	~~{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1}}~~
	~~#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.~~
	~~#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.~~
	~~#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.~~
	~~#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.~~

	== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==		== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==

Szigeti Donát, 2022. december 4., 13:02-n

2022-12-04T13:02:00Z

@@ 106. sor: / 106. sor: @@
 #Rendszeresen frissíteni kell.
 #A kiolvasás destruktív,  azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.
 == Mi igaz statikus RAM memóriára? ==
@@ 138. sor: / 122. sor: @@
 #Az információ gyártáskor kerül bele.
 #Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés
 == Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==

Szigeti Donát, 2022. december 4., 12:48-n

2022-12-04T12:48:22Z

@@ 98. sor: / 98. sor: @@
 #Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
 #Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.
 == Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==
@@ 114. sor: / 106. sor: @@
 #Rendszeresen frissíteni kell.
 #A kiolvasás destruktív,  azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.
 == Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==
@@ 162. sor: / 146. sor: @@
 #pF
 #nF
 == Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==

Czumbel Péter, 2022. december 4., 12:28-n

2022-12-04T12:28:18Z

← Régebbi változat		A lap 2022. december 4., 14:28-kori változata
138. sor:		138. sor:
	#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.		#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
	#A tárolás egy memória mátrixban történik.		#A tárolás egy memória mátrixban történik.

			== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1}}
			#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.
			#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
			#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
			#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.

			== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1,3}}
			#Nagyon nagy sorozatú gyártás esetén gazdaságos.
			#Az információhoz egy bináris maszkot rendelnek és ezzel történik a programozás.
			#Az információ gyártáskor kerül bele.
			#Két elrendezése is lehetséges, az OR illetve AND elrendezés

			== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==

			{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=1}}
			#fF
			#uF
			#pF
			#nF

			== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==

			{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=2}}
			#\(10^{-6}F\)

			#\(10^{-15}F\)

			#\(1000F\)

			#\(10^{-9}F\)


			== Mi igaz flash EEPROM memóriákra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1,2}}
			#Az információt valójában egy MOS tranzisztor küszöbfeszültsége tárolja
			#A memória programozása a küszöbfeszültség megváltoztatását jelenti.
			#MLC memóriákban a tranzisztor a kiolvasás feszültségén vagy vezet, vagy nem vezet, programozástól függően.
			#Az alagútjelenség hatására nagyenergiájú elektronok jelennek meg, amelyek keresztülhaladnak a szigetelőn.

			== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=4}}
			#A keresési idő függ attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
			#Ha n elemet tartalmaz, a keresés log2(n) órajel alatt lezajlik.
			#A működés gyors, mivel soronként halad végig a memória mátrixon.
			#Asszociatív tömb megvalósításához egy "hagyományos memória" is szükséges.

Czumbel Péter, 2022. december 4., 12:27-n

2022-12-04T12:27:27Z

← Régebbi változat		A lap 2022. december 4., 14:27-kori változata
90. sor:		90. sor:
	#10−9F		#10−9F
	#10−6F		#10−6F

			== Mi igaz maszk programozott ROM memóriákra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=2,4}}
			#Az információ gyártáskor, a tokozást követően kerül bele.
			#Két elrendezése is lehetséges, a NOR illetve a NAND elrendezés
			#Már néhány ezer példány esetén is megéri, mert olcsóbb lesz, mint bármilyen más ROM memória.
			#Tipikus használata SoC-ben a mikrokód, look-up table stb.

			== Mi igaz OTP ROM memóriákra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=2,4}}
			#Kikapcsoláskor elveszítik tartalmukat.
			#Az információ tároló elem egy fuse vagy antifuse.
			#A fuse kiégetéskor (egy nagyobb energiájú impulzus rákapcsolása után) vezet.
			#A programozás végleges, a beírt tartalom megváltoztatása lehetetlen.

			== Mi igaz dinamikus RAM memóriára? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=2,3,4}}
			#DRAM írásakor sérül a cellában lévő kapacitás, ezért az írások száma korlátozott.
			#Az elemi cella 1 tranzisztort és egy tároló kapacitást tartalmaz
			#Rendszeresen frissíteni kell.
			#A kiolvasás destruktív, azaz a cellából kiolvasott információt vissza kell írni.

			== Mi igaz tartalommal címezhető memóriákra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1,2,3}}
			#A keresési idő független attól, hogy a keresett adat fizikailag milyen címen található.
			#A működés gyors, mivel teljesen párhuzamos.
			#A tárolt adat címét keressük.
			#Önmagában meg lehet valósítani egy HW asszociatív tömböt

			== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=3,4}}
			#Az elemi cella mindig egy bit információt tárol.
			#A cella tranzisztorai nagyméretűek, hogy a hosszú bitvonalakat könnyen meg tudják hajtani.
			#A félvezető memória belső működése nem teljesen digitális.
			#Az elemi cellát a szóvonallal aktiváljuk.

			== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1,3,4}}
			#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.
			#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
			#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
			#A tárolás egy memória mátrixban történik.

Szigeti Donát: /* Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? */

2022-12-03T21:54:00Z

Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása?

← Régebbi változat		A lap 2022. december 3., 23:54-kori változata
86. sor:		86. sor:

	{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=1}}		{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=1}}
	#~~10−15F10−15F~~		#10−15F
			#1000F
	#~~1000F1000F~~		#10−9F
			#10−6F
	#~~10−9F10−9F~~

	#~~10−6F10−6F~~

Szigeti Donát, 2022. december 3., 21:52-n

2022-12-03T21:52:04Z

← Régebbi változat		A lap 2022. december 3., 23:52-kori változata
50. sor:		50. sor:
	#A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.		#A cella tárolási funkcióját két keresztbecsatolt inverter valósítja meg.
	#Rendszeresen frissíteni kell.		#Rendszeresen frissíteni kell.

			== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==

			{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=4}}
			#nF
			#uF
			#pF
			#fF

			== Mi igaz általában a félvezető memóriák felépítésére? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1,2,4}}
			#A tárolás egy memória mátrixban történik.
			#Az elemi cella felel egy vagy több bit információ tárolásáért.
			#Az elemi cellát a bitvonallal aktiváljuk.
			#A cella tranzisztorai a lehető legkisebb méretűek, hogy felületegységenként minél többet lehessen elhelyezni.

			== Mi igaz a pszeudó nMOS kapukra? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=1,3,4}}
			#Egy hárombemenetű NAND kapu 3 nMOS és egy pMOS tranzisztorral valósítható meg.
			#A pMOS tranzisztor nem vezéreljük, a gate-je tápfeszültségre van kötve.
			#A logikai 0 nem 0V, hanem egy ehhez közelálló, 100mV nagyságrendű feszültség.
			#Statikus fogyasztása van, ha a kimenet logikai 0, mivel ilyenkor áramút van tápfeszültség és a föld között.

			== Mi igaz statikus RAM memóriára? ==

			{{kvízkérdés\|típus=több\|válasz=4}}
			#A tápfeszültség eltűnése után is megőrzi a tartalmát.
			#Körülbelül 10 millószor írható mindösszesen.
			#Egy bitvonalat használ csak, amelyen kiolvasáskor töltésmegosztás történik.
			#Az elemi cella 6 tranzisztort tartalmaz.

			== Milyen nagyságrendben van a DRAM cella információtároló kapacitása? ==

			{{kvízkérdés\|típus=egy\|válasz=1}}
			#10−15F10−15F

			#1000F1000F

			#10−9F10−9F

			#10−6F10−6F